WPB4001-1E
Osa numero:
WPB4001-1E
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 26A TO3P3L
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13844 Pieces
Tietolomake:
WPB4001-1E.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä WPB4001-1E, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma WPB4001-1E sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa WPB4001-1E BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:-
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-3P-3L
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:260 mOhm @ 13A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.5W (Ta), 220W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-3P-3, SC-65-3
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:WPB4001-1E
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2250pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:87nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 500V 26A (Ta) 2.5W (Ta), 220W (Tc) Through Hole TO-3P-3L
Valua lähde jännite (Vdss):500V
Kuvaus:MOSFET N-CH 500V 26A TO3P3L
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:26A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit