Ostaa ZVN3310A BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
ZVN3310A
- Osa numero:
- ZVN3310A
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14832 Pieces
- Tietolomake:
- ZVN3310A.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä ZVN3310A, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma ZVN3310A sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-92-3 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 10 Ohm @ 500mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 625mW (Ta) |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | ZVN3310A |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 40pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 200mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 200mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat ZVN3310A
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
ZVN3310FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3 | tiedustelu |
|
ZVN3310FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3 | tiedustelu |
 |
ZVN3320ASTOA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3 | tiedustelu |
 |
ZVN3310ASTOA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 | tiedustelu |
|
ZVN3310ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 | tiedustelu |
|
ZVN3310ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 | tiedustelu |
|
ZVN3306FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3 | tiedustelu |
|
ZVN3306ASTOA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3 | tiedustelu |
|
ZVN3306ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3 | tiedustelu |
|
ZVN3306ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3 | tiedustelu |
|
ZVN3320FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.06A SOT23-3 | tiedustelu |
|
ZVN3320ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3 | tiedustelu |
|
ZVN3306FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.15A SOT23-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog