Ostaa ZVN4306AV BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
ZVN4306AV
- Osa numero:
- ZVN4306AV
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19547 Pieces
- Tietolomake:
- ZVN4306AV.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä ZVN4306AV, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma ZVN4306AV sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-92-3 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 330 mOhm @ 3A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 850mW (Ta) |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | ZVN4306AV |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 1.1A (Ta) 850mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 1.1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat ZVN4306AV
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
ZVN4306AVSTZ | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 | tiedustelu |
|
ZVN4306ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 | tiedustelu |
|
ZVN4306ASTOA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 | tiedustelu |
 |
ZVN4306A | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 | tiedustelu |
|
ZVN4306AVSTOA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 | tiedustelu |
 |
ZVN4306GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 | tiedustelu |
|
ZVN4306AVSTOB | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 | tiedustelu |
|
ZVN4306ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 | tiedustelu |
|
ZVN4306GVTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 | tiedustelu |
|
ZVN4306GVTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 | tiedustelu |
|
ZVN4306GTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog