Ostaa ZVN4525E6TA BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
ZVN4525E6TA
- Osa numero:
- ZVN4525E6TA
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17950 Pieces
- Tietolomake:
- ZVN4525E6TA.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä ZVN4525E6TA, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma ZVN4525E6TA sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.8V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±40V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | SOT-23-6 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 8.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 1.1W (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | SOT-23-6 |
| Muut nimet: | ZVN4525E6TR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | ZVN4525E6TA |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 72pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.65nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 250V 230mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 2.4V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 250V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 230mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat ZVN4525E6TA
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
ZVN4525GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223 | tiedustelu |
 |
IXFP4N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 | tiedustelu |
 |
ZVN4525E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 250V 0.23A SOT23-6 | tiedustelu |
|
ZVN4525GTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 250V 0.31A SOT223 | tiedustelu |
 |
IXTY3N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK | tiedustelu |
 |
AUIRLS4030-7P | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P | tiedustelu |
 |
ZVN4525ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 250V 240MA SOT-89 | tiedustelu |
 |
IRFZ48ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 61A TO-220AB | tiedustelu |
 |
NVMFS5C670NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL | tiedustelu |
 |
C3M0120100J | Cree/Wolfspeed | 1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET | tiedustelu |
 |
FQD14N15TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 10A DPAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog