Ostaa ZVP4525E6TC BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
ZVP4525E6TC
- Osa numero:
- ZVP4525E6TC
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT23-6
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18675 Pieces
- Tietolomake:
- ZVP4525E6TC.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä ZVP4525E6TC, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma ZVP4525E6TC sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | SOT-23-6 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 14 Ohm @ 200mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 1.1W (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | SOT-23-6 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | ZVP4525E6TC |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 73pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.45nC @ 10V |
| FET tyyppi: | P-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | P-Channel 250V 197mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 250V |
| Kuvaus: | MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT23-6 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 197mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat ZVP4525E6TC
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
ZVP4525GTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 250V 0.265A SOT223 | tiedustelu |
 |
BUK9512-55B,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | tiedustelu |
 |
SIHD6N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 7A TO252 | tiedustelu |
 |
ZVP4525ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 250V 0.205A SOT-89 | tiedustelu |
|
ZVP4525GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 250V 0.265A SOT223 | tiedustelu |
 |
ZVP4525E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT-23-6 | tiedustelu |
 |
MMSF7P03HDR2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
CDM2206-800LR SL | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 800V 6A TO220 | tiedustelu |
 |
PMFPB8032XP,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6 | tiedustelu |
 |
R5009FNX | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 9A TO-220FM | tiedustelu |
 |
IXFE44N50QD2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog