ZXMHC10A07N8TC
ZXMHC10A07N8TC
Osa numero:
ZXMHC10A07N8TC
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18950 Pieces
Tietolomake:
ZXMHC10A07N8TC.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä ZXMHC10A07N8TC, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma ZXMHC10A07N8TC sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa ZXMHC10A07N8TC BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Toimittaja Device Package:8-SOP
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:700 mOhm @ 1.5A, 10V
Virta - Max:870mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:ZXMHC10A07N8DITR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:ZXMHC10A07N8TC
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:138pF @ 60V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:2.9nC @ 10V
FET tyyppi:2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET Ominaisuus:Standard
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 800mA, 680mA 870mW Surface Mount 8-SOP
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:800mA, 680mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit