Ostaa 275X2-501N16A-00 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
275X2-501N16A-00
- Osa numero:
- 275X2-501N16A-00
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- RF MOSFET 2N-CHANNEL DE275
- Saatavana oleva määrä:
- 13406 Pieces
- Tietolomake:
- 275X2-501N16A-00.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä 275X2-501N16A-00, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 275X2-501N16A-00 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | - |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 500V |
| transistori tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| Toimittaja Device Package: | DE275 |
| Sarja: | DE |
| Virta - Output: | 1180W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | 275X2-501N16A-00 |
| Saada: | - |
| Taajuus: | 65MHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 65MHz 1180W DE275 |
| Kuvaus: | RF MOSFET 2N-CHANNEL DE275 |
| Nykyinen arvostelu: | 1mA |
| Nykyinen - Testi: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat 275X2-501N16A-00
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF6V13250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI780S | tiedustelu |
 |
PTFA082201EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 894MHZ H-36260-2 | tiedustelu |
 |
NE3513M04-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | tiedustelu |
 |
BLC9G20XS-400AVTZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16.2DB SOT12587 | tiedustelu |
 |
MRFE6VP61K25GNR6 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 1250W 50V | tiedustelu |
 |
GTVA261701FAV1R2XTMA1 | Infineon Technologies | GAN SIC | tiedustelu |
|
MRF9135LSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 880MHZ NI-780S | tiedustelu |
|
PTFB091507FHV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-34288-4 | tiedustelu |
|
PXAC180602MDV1R500XUMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | tiedustelu |
 |
BLF7G22LS-130,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B | tiedustelu |
 |
MRF9085LR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 880MHZ NI-780 | tiedustelu |
 |
BF244B_J35Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 50MA TO92 | tiedustelu |
 |
275X2-102N06A-00 | IXYS | RF MOSFET 2N-CHANNEL DE275 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog