2SK1342-E
2SK1342-E
Osa numero:
2SK1342-E
Valmistaja:
Renesas Electronics America
Kuvaus:
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16150 Pieces
Tietolomake:
2SK1342-E.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä 2SK1342-E, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 2SK1342-E sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa 2SK1342-E BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:-
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-3P
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:1.6 Ohm @ 4A, 10V
Tehonkulutus (Max):100W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-3P-3, SC-65-3
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:2SK1342-E
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1730pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 900V 8A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Valua lähde jännite (Vdss):900V
Kuvaus:MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:8A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit