2SK3128(Q)
2SK3128(Q)
Osa numero:
2SK3128(Q)
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15800 Pieces
Tietolomake:
1.2SK3128(Q).pdf2.2SK3128(Q).pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä 2SK3128(Q), meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 2SK3128(Q) sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa 2SK3128(Q) BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-3P(N)
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:12 mOhm @ 30A, 10V
Tehonkulutus (Max):150W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-3P-3, SC-65-3
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:2SK3128(Q)
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2300pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:66nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 60A (Ta) 150W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:60A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit