Ostaa 3135GN-170M BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
3135GN-170M
- Osa numero:
- 3135GN-170M
- Valmistaja:
- Microsemi
- Kuvaus:
- FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19367 Pieces
- Tietolomake:
- 3135GN-170M.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä 3135GN-170M, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 3135GN-170M sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 60V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 150V |
| transistori tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Toimittaja Device Package: | 55QP |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 185W |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | 55QP |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | 3135GN-170M |
| Saada: | 11.5dB ~ 11.8dB |
| Taajuus: | 3.1GHz ~ 3.5GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 60V 500mA 3.1GHz ~ 3.5GHz 11.5dB ~ 11.8dB 185W 55QP |
| Kuvaus: | FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP |
| Nykyinen arvostelu: | 5mA |
| Nykyinen - Testi: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat 3135GN-170M
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
PD55003TR-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 | tiedustelu |
 |
SPF-2086TK | RFMD | IC TRANS PHEMT 6GHZ SOT-86 | tiedustelu |
 |
MRF1550NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 175MHZ TO272-6 WRAP | tiedustelu |
 |
BLF8G20LS-400PVJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B | tiedustelu |
 |
3135GN-100M | Microsemi Corporation | TRANSISTOR GAN 55-QP | tiedustelu |
 |
MRFE6VP100HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780 | tiedustelu |
 |
MRF9120LR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 880MHZ NI-860 | tiedustelu |
 |
BLF2425M7L100J | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A | tiedustelu |
|
LET9060S | STMicroelectronics | IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10 | tiedustelu |
 |
PTFA080551EV4T500XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 | tiedustelu |
 |
SLD-2083CZ | RFMD | FET RF 35V 928MHZ RF083 | tiedustelu |
|
MRFE6VP61K25GSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230GS | tiedustelu |
 |
PTVA120251EAV2XWSA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | tiedustelu |
 |
MRF5S9150HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ NI-780 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog