Ostaa 62-0203PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 900mV @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 8-SO |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 7 mOhm @ 16A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 2.5W (Ta) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Muut nimet: | IRF7410GPBF IRF7410GPBF-ND SP001550562 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | 62-0203PBF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 8676pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 91nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 12V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Valua lähde jännite (Vdss): | 12V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 16A (Ta) |
Email: | [email protected] |