Ostaa A2I20H060NR1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
A2I20H060NR1
- Osa numero:
- A2I20H060NR1
- Valmistaja:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Kuvaus:
- IC TRANS RF LDMOS
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15169 Pieces
- Tietolomake:
- A2I20H060NR1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä A2I20H060NR1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma A2I20H060NR1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 28V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 65V |
| transistori tyyppi: | LDMOS (Dual) |
| Toimittaja Device Package: | TO-270WB-15 |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 12W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-270-15 Variant, Flat Leads |
| Muut nimet: | 935318716528 |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | A2I20H060NR1 |
| Saada: | 28.9dB |
| Taajuus: | 1.84GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 24mA 1.84GHz 28.9dB 12W TO-270WB-15 |
| Kuvaus: | IC TRANS RF LDMOS |
| Nykyinen arvostelu: | - |
| Nykyinen - Testi: | 24mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat A2I20H060NR1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF9180R6 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 880MHZ NI-1230 | tiedustelu |
 |
A2I20H060GNR1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | tiedustelu |
 |
NE3514S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | tiedustelu |
 |
PTFC270051MV2R1KXUMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | tiedustelu |
|
A2I08H040GNR1 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS AMP | tiedustelu |
 |
MRF9045LSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ NI-360S | tiedustelu |
|
MRF6V13250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI780S | tiedustelu |
 |
NE3515S02-T1D-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | tiedustelu |
 |
BLF6G27-135,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT502A | tiedustelu |
|
PTFA092213ELV4R250XTMA2 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-33288-6 | tiedustelu |
|
MRF9060LSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ NI-360S | tiedustelu |
 |
BLF2425M7L250P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539A | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers