Ostaa AFT23H200-4S2LR6 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
AFT23H200-4S2LR6
- Osa numero:
- AFT23H200-4S2LR6
- Valmistaja:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Kuvaus:
- FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13805 Pieces
- Tietolomake:
- AFT23H200-4S2LR6.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä AFT23H200-4S2LR6, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma AFT23H200-4S2LR6 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 28V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 65V |
| transistori tyyppi: | LDMOS (Dual) |
| Toimittaja Device Package: | NI-1230-4LS2L |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 45W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | NI-1230-4LS2L |
| Muut nimet: | 935311216128 |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | AFT23H200-4S2LR6 |
| Saada: | 15.3dB |
| Taajuus: | 2.3GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 500mA 2.3GHz 15.3dB 45W NI-1230-4LS2L |
| Kuvaus: | FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4 |
| Nykyinen arvostelu: | - |
| Nykyinen - Testi: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat AFT23H200-4S2LR6
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF888B,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A | tiedustelu |
 |
MRF6S18100NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ TO2724 | tiedustelu |
 |
PTRA093302DCV1R2XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4 | tiedustelu |
 |
AFT23S170-13SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2L4S | tiedustelu |
|
AFT23H160-25SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | tiedustelu |
 |
BLP8G10S-45PGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP | tiedustelu |
 |
MRF7S27130HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.7GHZ NI-780 | tiedustelu |
|
AFT23S160W02GSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.4GHZ | tiedustelu |
 |
BLF7G27L-100,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A | tiedustelu |
 |
ARF468AG | Microsemi Corporation | RF MOSFET (VDMOS) | tiedustelu |
|
AFT23S160W02SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2 | tiedustelu |
 |
ON5257,215 | NXP USA Inc. | MOSFET RF SOT23 TO-236AB | tiedustelu |
|
MRF7S38010HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 3.6GHZ NI-400 | tiedustelu |
|
BLF8G24L-200P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539A | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog