Ostaa AFT23S160W02SR3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
AFT23S160W02SR3
- Osa numero:
- AFT23S160W02SR3
- Valmistaja:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Kuvaus:
- FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19509 Pieces
- Tietolomake:
- AFT23S160W02SR3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä AFT23S160W02SR3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma AFT23S160W02SR3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 28V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 65V |
| transistori tyyppi: | LDMOS |
| Toimittaja Device Package: | NI-780S |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 45W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | NI-780S |
| Muut nimet: | 935320238128 |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | AFT23S160W02SR3 |
| Saada: | 17.9dB |
| Taajuus: | 2.4GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.1A 2.4GHz 17.9dB 45W NI-780S |
| Kuvaus: | FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2 |
| Nykyinen arvostelu: | - |
| Nykyinen - Testi: | 1.1A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat AFT23S160W02SR3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
AFT23S170-13SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2L4S | tiedustelu |
|
AFT23S160W02GSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.4GHZ | tiedustelu |
|
MRFG35010R5 | NXP USA Inc. | FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF | tiedustelu |
|
AFT21S230SR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6 | tiedustelu |
|
MRFE6S9135HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 940MHZ NI-880S | tiedustelu |
 |
BLF6G10L-40BRN,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A | tiedustelu |
 |
BLF2425M9LS30J | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135B | tiedustelu |
 |
PD55035-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 | tiedustelu |
|
AFT23H160-25SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | tiedustelu |
|
AFT23H200-4S2LR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4 | tiedustelu |
|
BLF4G10LS-120,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 960MHZ SOT502B | tiedustelu |
 |
BF1105,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 7V DUAL SOT143 | tiedustelu |
 |
BLC8G27LS-240AVU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12521 | tiedustelu |
 |
MRF6S9130HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ NI-780 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog