APTM120DA56T1G
Osa numero:
APTM120DA56T1G
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15992 Pieces
Tietolomake:
APTM120DA56T1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä APTM120DA56T1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma APTM120DA56T1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa APTM120DA56T1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SP1
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:672 mOhm @ 14A, 10V
Tehonkulutus (Max):390W (Tc)
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:SP1
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Chassis Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:APTM120DA56T1G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:7736pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:300nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 1200V (1.2kV) 18A 390W (Tc) Chassis Mount SP1
Valua lähde jännite (Vdss):1200V (1.2kV)
Kuvaus:MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:18A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit