Ostaa AUIRF2903ZL BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
AUIRF2903ZL
- Osa numero:
- AUIRF2903ZL
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 30V 235A TO-262
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18959 Pieces
- Tietolomake:
- AUIRF2903ZL.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä AUIRF2903ZL, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma AUIRF2903ZL sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 150µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-262 |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 2.4 mOhm @ 75A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 231W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Muut nimet: | SP001520876 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 13 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | AUIRF2903ZL |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 6320pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 240nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 160A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 235A TO-262 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 160A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat AUIRF2903ZL
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
AUIRF2903ZS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK | tiedustelu |
|
AUIRF2903ZSTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK | tiedustelu |
 |
AUIRF2907Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB | tiedustelu |
 |
AUIRF2907ZS7PTL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK-7 | tiedustelu |
|
AUIRF2804S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | tiedustelu |
|
AUIRF2804STRL7P | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 320A D2PAK-7 | tiedustelu |
|
AUIRF2903Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB | tiedustelu |
|
AUIRF2804STRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | tiedustelu |
 |
AUIRF2804L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A TO262 | tiedustelu |
 |
AUIRF2804WL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 295A TO262WL | tiedustelu |
|
AUIRF2805S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK | tiedustelu |
|
AUIRF2804S-7P | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog