Ostaa AUIRF2907ZS7PTL BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
AUIRF2907ZS7PTL
- Osa numero:
- AUIRF2907ZS7PTL
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK-7
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14853 Pieces
- Tietolomake:
- AUIRF2907ZS7PTL.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä AUIRF2907ZS7PTL, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma AUIRF2907ZS7PTL sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | D2PAK (7-Lead) |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3.8 mOhm @ 110A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 300W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Muut nimet: | SP001516558 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 13 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | AUIRF2907ZS7PTL |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 7580pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 260nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 75V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 75V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK-7 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 180A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat AUIRF2907ZS7PTL
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
AUIRF2804S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | tiedustelu |
 |
AUIRF2807 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB | tiedustelu |
 |
AUIRF2804STRL7P | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 320A D2PAK-7 | tiedustelu |
 |
AUIRF2804WL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 295A TO262WL | tiedustelu |
|
AUIRF2903Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB | tiedustelu |
 |
AUIRF2903ZL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 235A TO-262 | tiedustelu |
|
AUIRF2805S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK | tiedustelu |
|
AUIRF2804S-7P | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 | tiedustelu |
|
AUIRF2903ZSTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK | tiedustelu |
|
AUIRF2907Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB | tiedustelu |
|
AUIRF2804L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A TO262 | tiedustelu |
|
AUIRF2804STRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | tiedustelu |
|
AUIRF2903ZS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers