Ostaa BLA6H0912-500,112 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BLA6H0912-500,112
- Osa numero:
- BLA6H0912-500,112
- Valmistaja:
- Ampleon
- Kuvaus:
- RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13460 Pieces
- Tietolomake:
- BLA6H0912-500,112.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BLA6H0912-500,112, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BLA6H0912-500,112 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 50V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 100V |
| transistori tyyppi: | LDMOS |
| Toimittaja Device Package: | CDFM2 |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 450W |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | SOT634A |
| Muut nimet: | 568-7545 934062292112 BLA6H0912-500,112-ND BLA6H0912500112 |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 13 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | BLA6H0912-500,112 |
| Saada: | 17dB |
| Taajuus: | 960MHz ~ 1.22GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS 50V 100mA 960MHz ~ 1.22GHz 17dB 450W CDFM2 |
| Kuvaus: | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A |
| Nykyinen arvostelu: | 54A |
| Nykyinen - Testi: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BLA6H0912-500,112
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BLA6H0912L-1000U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A | tiedustelu |
 |
MRF5S9070MR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 | tiedustelu |
 |
BLA6H0912LS-1000U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B | tiedustelu |
 |
375-501N21A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | tiedustelu |
|
BLA6H1011-600,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A | tiedustelu |
 |
J210_D27Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 15MA TO92 | tiedustelu |
|
MRF7S24250NR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 250W 32V | tiedustelu |
 |
PTFA211801EV5T350XWSA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-36260-2 | tiedustelu |
 |
BLM8G0710S-45ABGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12122 | tiedustelu |
 |
AFV121KGSR5 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | tiedustelu |
 |
MRFG35020AR5 | NXP USA Inc. | FET RF 15V 3.5GHZ NI-360 | tiedustelu |
 |
ARF466FL | Microsemi Corporation | RF PWR MOSFET 1000V 13A | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog