Ostaa J210_D27Z BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
J210_D27Z
- Osa numero:
- J210_D27Z
- Valmistaja:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Kuvaus:
- JFET N-CH 25V 15MA TO92
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15415 Pieces
- Tietolomake:
- J210_D27Z.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä J210_D27Z, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma J210_D27Z sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | - |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 25V |
| transistori tyyppi: | N-Channel JFET |
| Toimittaja Device Package: | TO-92-3 |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | - |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | J210_D27Z |
| Saada: | - |
| Taajuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet N-Channel JFET TO-92-3 |
| Kuvaus: | JFET N-CH 25V 15MA TO92 |
| Nykyinen arvostelu: | 15mA |
| Nykyinen - Testi: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat J210_D27Z
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BLA6H0912L-1000U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A | tiedustelu |
 |
BLF4G20-110B,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A | tiedustelu |
 |
MRF6VP21KHR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230 | tiedustelu |
 |
PTFA211801EV5T350XWSA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-36260-2 | tiedustelu |
 |
PTVA120501EAV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-36265-2 | tiedustelu |
 |
MRF6S9130HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ NI-780S | tiedustelu |
|
PXFC192207SHV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | tiedustelu |
 |
BLF6G21-10G,135 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | tiedustelu |
 |
J210 | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 15MA TO92 | tiedustelu |
|
MRF7S24250NR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 250W 32V | tiedustelu |
 |
AFV121KGSR5 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | tiedustelu |
|
MRF7S19170HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog