Ostaa BLF4G20-110B,112 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BLF4G20-110B,112
- Osa numero:
- BLF4G20-110B,112
- Valmistaja:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Kuvaus:
- FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18524 Pieces
- Tietolomake:
- BLF4G20-110B,112.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BLF4G20-110B,112, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BLF4G20-110B,112 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 28V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 65V |
| transistori tyyppi: | LDMOS |
| Toimittaja Device Package: | LDMOST |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 100W |
| Pakkaus: | Tray |
| Pakkaus / Case: | SOT-502A |
| Muut nimet: | 568-2393 934058886112 BLF4G20-110B BLF4G20-110B-ND |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | BLF4G20-110B,112 |
| Saada: | 13.5dB |
| Taajuus: | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS 28V 700mA 1.93GHz ~ 1.99GHz 13.5dB 100W LDMOST |
| Kuvaus: | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A |
| Nykyinen arvostelu: | 12A |
| Nykyinen - Testi: | 700mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BLF4G20-110B,112
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF4G20LS-130,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B | tiedustelu |
|
BLF4G20S-110B,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B | tiedustelu |
 |
BLC8G27LS-245AVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12512 | tiedustelu |
 |
MRF8P20140WHR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4 | tiedustelu |
 |
BLF4G20LS-110B,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B | tiedustelu |
|
BLF4G10LS-120,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 960MHZ SOT502B | tiedustelu |
|
BLF4G22S-100,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B | tiedustelu |
 |
PTFA091201FV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 | tiedustelu |
|
BLF4G10LS-160,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B | tiedustelu |
|
BLF4G22LS-130,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B | tiedustelu |
 |
MRF5S21045NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4 | tiedustelu |
|
BLF4G10-160,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog