Ostaa BLF4G22LS-130,112 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BLF4G22LS-130,112
- Osa numero:
- BLF4G22LS-130,112
- Valmistaja:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Kuvaus:
- FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17095 Pieces
- Tietolomake:
- BLF4G22LS-130,112.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BLF4G22LS-130,112, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BLF4G22LS-130,112 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 28V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 65V |
| transistori tyyppi: | LDMOS |
| Toimittaja Device Package: | SOT502B |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 33W |
| Pakkaus: | Tray |
| Pakkaus / Case: | SOT-502B |
| Muut nimet: | 568-2416 934059192112 BLF4G22LS-130 BLF4G22LS-130-ND |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | BLF4G22LS-130,112 |
| Saada: | 13.5dB |
| Taajuus: | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.15A 2.11GHz ~ 2.17GHz 13.5dB 33W SOT502B |
| Kuvaus: | FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B |
| Nykyinen arvostelu: | 15A |
| Nykyinen - Testi: | 1.15A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BLF4G22LS-130,112
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
2N3819_D27Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 50MA TO92 | tiedustelu |
 |
BLF4G20S-110B,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B | tiedustelu |
 |
BLF4G20-110B,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A | tiedustelu |
|
BLF4G22S-100,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B | tiedustelu |
|
BLF4G20LS-130,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B | tiedustelu |
 |
BLF4G20LS-110B,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B | tiedustelu |
|
BLF4G10-160,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A | tiedustelu |
 |
BLA1011S-200R,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B | tiedustelu |
 |
BLF6G20-75,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A | tiedustelu |
|
BLF4G10LS-160,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B | tiedustelu |
 |
PTFA212001F1V4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF POWER TRANSISTOR | tiedustelu |
|
BLF4G10LS-120,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 960MHZ SOT502B | tiedustelu |
 |
NE3514S02-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | tiedustelu |
|
MMRF2007NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 940MHZ | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog