Ostaa BLC2425M8LS300PY BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BLC2425M8LS300PY
- Osa numero:
- BLC2425M8LS300PY
- Valmistaja:
- Ampleon
- Kuvaus:
- RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12501
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14169 Pieces
- Tietolomake:
- BLC2425M8LS300PY.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BLC2425M8LS300PY, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BLC2425M8LS300PY sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Testi: | 32V |
|---|---|
| Jännite - Rated: | 65V |
| transistori tyyppi: | LDMOS (Dual), Common Source |
| Toimittaja Device Package: | SOT1250-1 |
| Sarja: | - |
| Virta - Output: | 300W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | SOT1250-1 |
| Muut nimet: | 934069195518 |
| Noise Kuva: | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Valmistajan toimitusaika: | 13 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | BLC2425M8LS300PY |
| Saada: | 17.5dB |
| Taajuus: | 2.45GHz |
| Laajennettu kuvaus: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32V 20mA 2.45GHz 17.5dB 300W SOT1250-1 |
| Kuvaus: | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12501 |
| Nykyinen arvostelu: | - |
| Nykyinen - Testi: | 20mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BLC2425M8LS300PY
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BLC2425M9LS250Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT12701 | tiedustelu |
 |
BLC2425M8LS300PZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12501 | tiedustelu |
 |
BF994S,215 | NXP USA Inc. | MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B | tiedustelu |
 |
ARF1511 | Microsemi Corporation | RF PWR MOSFET 500V 20A DIE | tiedustelu |
 |
MRF6VP11KHR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230 | tiedustelu |
 |
PTFC210202FCV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | tiedustelu |
 |
BLF2045,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 10DB SOT467C | tiedustelu |
|
PTRA093302FCV1R2XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 330W H-37248-4 | tiedustelu |
 |
PD20010S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | tiedustelu |
 |
MRF6V12250HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | tiedustelu |
 |
BLF6G15L-500H,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 16DB SOT539A | tiedustelu |
 |
MRF8P20165WHR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog