Ostaa BSD223P L6327 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BSD223P L6327
- Osa numero:
- BSD223P L6327
- Kuvaus:
- MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16708 Pieces
- Tietolomake:
- BSD223P L6327.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BSD223P L6327, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSD223P L6327 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 1.5µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | PG-SOT363-6 |
| Sarja: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V |
| Virta - Max: | 250mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Muut nimet: | SP000245417 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | BSD223P L6327 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 56pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.62nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 390mA 250mW Surface Mount PG-SOT363-6 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
| Kuvaus: | MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 390mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BSD223P L6327
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
ALD1102BSAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC | tiedustelu |
 |
BSD223P | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 | tiedustelu |
|
BSD223PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 | tiedustelu |
 |
STS3DNE60L | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC | tiedustelu |
|
ALD210800ASCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC | tiedustelu |
 |
SP8K31TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC | tiedustelu |
 |
SI1563DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6 | tiedustelu |
 |
IRF9953PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC | tiedustelu |
|
IRF7316TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
CSD83325L | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR | tiedustelu |
 |
SLA5061 | Sanken | MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP | tiedustelu |
 |
SI3850ADV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog