BSP135L6327HTSA1
BSP135L6327HTSA1
Osa numero:
BSP135L6327HTSA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19908 Pieces
Tietolomake:
BSP135L6327HTSA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BSP135L6327HTSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSP135L6327HTSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BSP135L6327HTSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 94µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-SOT223-4
Sarja:SIPMOS®
RDS (Max) @ Id, Vgs:45 Ohm @ 120mA, 10V
Tehonkulutus (Max):1.8W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-261-4, TO-261AA
Muut nimet:BSP135 L6327
BSP135 L6327-ND
BSP135L6327XT
SP000089206
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:BSP135L6327HTSA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:146pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:4.9nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:Depletion Mode
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:120mA (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit