Ostaa BSP135L6327HTSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BSP135L6327HTSA1
- Osa numero:
- BSP135L6327HTSA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19908 Pieces
- Tietolomake:
- BSP135L6327HTSA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BSP135L6327HTSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSP135L6327HTSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 94µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-SOT223-4 |
| Sarja: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 45 Ohm @ 120mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 1.8W (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-261-4, TO-261AA |
| Muut nimet: | BSP135 L6327 BSP135 L6327-ND BSP135L6327XT SP000089206 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | BSP135L6327HTSA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 146pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.9nC @ 5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | Depletion Mode |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 120mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BSP135L6327HTSA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 | tiedustelu |
 |
BSP135 E6906 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | tiedustelu |
|
BSP135 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | tiedustelu |
|
BSP135H6906XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 | tiedustelu |
 |
NTA4001NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 0.238A SOT-416 | tiedustelu |
 |
BSP135H6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | tiedustelu |
|
BSP135L6906HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | tiedustelu |
|
BSP135H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | tiedustelu |
|
BSP135L6433HTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | tiedustelu |
 |
IXFH12N50F | IXYS | MOSFET N-CH 500V 12A TO247 | tiedustelu |
 |
AOTF3N90 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 900V 2.4A TO220F | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog