Ostaa BSP171PE6327 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 460µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-SOT223-4 |
Sarja: | SIPMOS® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 300 mOhm @ 1.9A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 1.8W (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-261-4, TO-261AA |
Muut nimet: | BSP171PE6327INTR SP000012134 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | BSP171PE6327 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 460pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 60V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 1.9A (Ta) |
Email: | [email protected] |