Ostaa IXFR38N80Q2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFR38N80Q2
- Osa numero:
- IXFR38N80Q2
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15972 Pieces
- Tietolomake:
- IXFR38N80Q2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFR38N80Q2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFR38N80Q2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 8mA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | ISOPLUS247™ |
| Sarja: | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 240 mOhm @ 19A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 416W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | ISOPLUS247™ |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IXFR38N80Q2 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 8340pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 190nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 800V 28A (Tc) 416W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 800V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 28A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFR38N80Q2
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SUP18N15-95-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3 | tiedustelu |
 |
IXFR36N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR30N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 | tiedustelu |
 |
IRF6609TR1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET | tiedustelu |
|
IXFR32N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR30N110P | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247 | tiedustelu |
 |
BSC200P03LSGAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8 | tiedustelu |
 |
BUK9614-60E,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 56A D2PAK | tiedustelu |
|
IXFR30N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247 | tiedustelu |
 |
FQD2N60CTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK | tiedustelu |
|
IXFR36N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247 | tiedustelu |
 |
MTM761100LBF | Panasonic Electronic Components | MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6 | tiedustelu |
|
IXFR32N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR32N80Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 24A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR32N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR32N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR34N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 | tiedustelu |
 |
IXFN66N50Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B | tiedustelu |
 |
IPI034NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3 | tiedustelu |
 |
FDMB506P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog