Ostaa IXFR32N100Q3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFR32N100Q3
- Osa numero:
- IXFR32N100Q3
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19062 Pieces
- Tietolomake:
- IXFR32N100Q3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFR32N100Q3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFR32N100Q3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 6.5V @ 8mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | ISOPLUS247™ |
| Sarja: | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 350 mOhm @ 16A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 570W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXFR32N100Q3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 9940pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 195nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 1000V (1kV) 23A (Tc) 570W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 23A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFR32N100Q3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD30N03S2L07ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | tiedustelu |
 |
IXFR32N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR30N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR32N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR32N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR32N80Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 24A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR38N80Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR30N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR30N110P | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR36N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR34N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 | tiedustelu |
 |
RJK0301DPB-02#J0 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK | tiedustelu |
|
IXFR36N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers