Ostaa IXFR34N80 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 8mA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | ISOPLUS247™ |
Sarja: | HiPerFET™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 240 mOhm @ 17A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 416W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | ISOPLUS247™ |
Muut nimet: | Q1149424 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Valmistajan osanumero: | IXFR34N80 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 7500pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 270nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 800V 28A (Tc) 416W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
Valua lähde jännite (Vdss): | 800V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 28A (Tc) |
Email: | [email protected] |