Ostaa IXFR32N100P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 6.5V @ 1mA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | ISOPLUS247™ |
Sarja: | HiPerFET™, PolarP2™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 340 mOhm @ 16A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 320W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | ISOPLUS247™ |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IXFR32N100P |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 14200pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 225nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 1000V (1kV) 18A (Tc) 320W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
Valua lähde jännite (Vdss): | 1000V (1kV) |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |