BSP315PE6327T
BSP315PE6327T
Osa numero:
BSP315PE6327T
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15533 Pieces
Tietolomake:
BSP315PE6327T.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BSP315PE6327T, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSP315PE6327T sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BSP315PE6327T BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 160µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-SOT223-4
Sarja:SIPMOS®
RDS (Max) @ Id, Vgs:800 mOhm @ 1.17A, 10V
Tehonkulutus (Max):1.8W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-261-4, TO-261AA
Muut nimet:BSP315PXTINTR
SP000012319
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:BSP315PE6327T
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:160pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:7.8nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 60V 1.17A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:1.17A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit