IXFL38N100Q2
IXFL38N100Q2
Osa numero:
IXFL38N100Q2
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17786 Pieces
Tietolomake:
IXFL38N100Q2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXFL38N100Q2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFL38N100Q2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXFL38N100Q2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5.5V @ 8mA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:ISOPLUS264™
Sarja:HiPerFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:280 mOhm @ 19A, 10V
Tehonkulutus (Max):380W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:ISOPLUS264™
Muut nimet:614235
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:IXFL38N100Q2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:13500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:250nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 1000V (1kV) 29A (Tc) 380W (Tc) Through Hole ISOPLUS264™
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):1000V (1kV)
Kuvaus:MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:29A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit