Ostaa IXFL38N100Q2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFL38N100Q2
- Osa numero:
- IXFL38N100Q2
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17786 Pieces
- Tietolomake:
- IXFL38N100Q2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFL38N100Q2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFL38N100Q2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 8mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | ISOPLUS264™ |
| Sarja: | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 280 mOhm @ 19A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 380W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | ISOPLUS264™ |
| Muut nimet: | 614235 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXFL38N100Q2 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 13500pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 250nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 1000V (1kV) 29A (Tc) 380W (Tc) Through Hole ISOPLUS264™ |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 29A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFL38N100Q2
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SI7174DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8 | tiedustelu |
 |
IXFL38N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK | tiedustelu |
 |
IXFL34N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264 | tiedustelu |
 |
EPC8002 | EPC | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE | tiedustelu |
|
IXFL39N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 | tiedustelu |
|
IXFL32N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK | tiedustelu |
|
SIR476DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 | tiedustelu |
 |
ZXMN2A01FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 | tiedustelu |
 |
ECH8320-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 9.5A ECH8 | tiedustelu |
 |
BSS84LT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 | tiedustelu |
 |
DMP6185SE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET PCH 60V 3A SOT223 | tiedustelu |
 |
FQI8N60CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK | tiedustelu |
 |
IPA60R600E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220 | tiedustelu |
 |
NTMFS4936NCT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.6A SO-8FL | tiedustelu |
 |
IXFH26N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFL30N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers