Ostaa IXFL30N120P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 6.5V @ 1mA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | ISOPLUSi5-Pak™ |
Sarja: | HiPerFET™, PolarP2™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 380 mOhm @ 15A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 357W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | ISOPLUSi5-Pak™ |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IXFL30N120P |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 19000pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 310nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 1200V (1.2kV) 18A (Tc) 357W (Tc) Through Hole ISOPLUSi5-Pak™ |
Valua lähde jännite (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
Email: | [email protected] |