Ostaa BSP613PH6327XTSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-SOT223-4 |
Sarja: | SIPMOS® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 130 mOhm @ 2.9A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 1.8W (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-261-4, TO-261AA |
Muut nimet: | BSP613PH6327XTSA1TR SP001058788 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
Valmistajan osanumero: | BSP613PH6327XTSA1 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 875pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 33nC @ 10V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 60V 2.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2.9A (Ta) |
Email: | [email protected] |