Ostaa BSS119L6433HTMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BSS119L6433HTMA1
- Osa numero:
- BSS119L6433HTMA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18968 Pieces
- Tietolomake:
- BSS119L6433HTMA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BSS119L6433HTMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSS119L6433HTMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.3V @ 50µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-SOT23-3 |
| Sarja: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 360mW (Ta) |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Muut nimet: | BSS119 L6433DKR BSS119 L6433DKR-ND |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | BSS119L6433HTMA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 78pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 170mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BSS119L6433HTMA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
TPH3206LDGB | Transphorm | GAN FET 650V 16A PQFN88 | tiedustelu |
 |
FQI5N40TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 4.5A I2PAK | tiedustelu |
 |
BSS119L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | tiedustelu |
 |
APT26M100JCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 | tiedustelu |
|
BSS119 E7978 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | tiedustelu |
|
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 | tiedustelu |
 |
IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN | tiedustelu |
|
BSS119E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | tiedustelu |
|
BSS119 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | tiedustelu |
|
BSS119NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 | tiedustelu |
|
BSS119 E7796 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | tiedustelu |
 |
STWA20N95K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-247 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog