Ostaa BSS192PL6327HTSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 130µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-SOT89 |
Sarja: | SIPMOS® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 12 Ohm @ 190mA, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 1W (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-243AA |
Muut nimet: | BSS192P L6327 BSS192P L6327-ND BSS192PL6327INTR BSS192PL6327INTR-ND BSS192PL6327XT SP000095795 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | BSS192PL6327HTSA1 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 104pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.1nC @ 10V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 250V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 250V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 190mA (Ta) |
Email: | [email protected] |