Ostaa BSS192PH6327XTSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
BSS192PH6327XTSA1
- Osa numero:
- BSS192PH6327XTSA1
- Kuvaus:
- MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18944 Pieces
- Tietolomake:
- BSS192PH6327XTSA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä BSS192PH6327XTSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSS192PH6327XTSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 130µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-SOT89 |
| Sarja: | SIPMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 12 Ohm @ 190mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 1W (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-243AA |
| Muut nimet: | SP001195030 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | BSS192PH6327XTSA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 104pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.1nC @ 10V |
| FET tyyppi: | P-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | P-Channel 250V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 250V |
| Kuvaus: | MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 190mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BSS192PH6327XTSA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS192PE6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 | tiedustelu |
 |
2SK3309(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL | tiedustelu |
|
BSS192PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 | tiedustelu |
|
BSS192PH6327FTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 | tiedustelu |
 |
NDUL09N150CG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 1500V 9A TO3PF-3 | tiedustelu |
 |
APT20M45BVFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 | tiedustelu |
 |
BSO203SP H | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO | tiedustelu |
 |
2N7002LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 | tiedustelu |
 |
SI6469DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 8TSSOP | tiedustelu |
|
BSS192PE6327T | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 | tiedustelu |
 |
BUK9606-40B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | tiedustelu |
 |
IPP65R380E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog