BSZ165N04NS G
BSZ165N04NS G
Osa numero:
BSZ165N04NS G
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13611 Pieces
Tietolomake:
BSZ165N04NS G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä BSZ165N04NS G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma BSZ165N04NS G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa BSZ165N04NS G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 10µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TSDSON-8
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:16.5 mOhm @ 20A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.1W (Ta), 25W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerTDFN
Muut nimet:BSZ165N04NSG
BSZ165N04NSGATMA1
BSZ165N04NSGINTR
BSZ165N04NSGXT
SP000391523
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:BSZ165N04NS G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:840pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 40V 8.9A (Ta), 31A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):40V
Kuvaus:MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:8.9A (Ta), 31A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit