TK60D08J1(Q)
Osa numero:
TK60D08J1(Q)
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 75V 60A TO220W
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12625 Pieces
Tietolomake:
TK60D08J1(Q).pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä TK60D08J1(Q), meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma TK60D08J1(Q) sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa TK60D08J1(Q) BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.3V @ 1mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220(W)
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:7.8 mOhm @ 30A, 10V
Tehonkulutus (Max):140W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:TK60D08J1(Q)
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:5450pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:86nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 75V 60A (Ta) 140W (Tc) Through Hole TO-220(W)
Valua lähde jännite (Vdss):75V
Kuvaus:MOSFET N-CH 75V 60A TO220W
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:60A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit