Ostaa C4D10120A BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
C4D10120A
- Osa numero:
- C4D10120A
- Valmistaja:
- Cree
- Kuvaus:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12755 Pieces
- Tietolomake:
- C4D10120A.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä C4D10120A, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma C4D10120A sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.8V @ 10A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 1200V (1.2kV) |
| Toimittaja Device Package: | TO-220-2 |
| Nopeus: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Sarja: | Z-Rec® |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 0ns |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-2 |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -55°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 4 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | C4D10120A |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 10A (DC) Through Hole TO-220-2 |
| diodi Tyyppi: | Silicon Carbide Schottky |
| Kuvaus: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 250µA @ 1200V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 10A (DC) |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | 754pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat C4D10120A
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
C4D10120D | Cree/Wolfspeed | DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 | tiedustelu |
 |
C4D10120E-TR | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252-2 | tiedustelu |
 |
GF1B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A SMA | tiedustelu |
 |
SS8PH10-E3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A | tiedustelu |
 |
MA3X152K0L | Panasonic Electronic Components | DIODE GEN PURP 80V 100MA MINI3 | tiedustelu |
 |
C4D10120E | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2 | tiedustelu |
 |
1N3613GPHE3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL | tiedustelu |
 |
MBR8030R | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY REV 30V DO5 | tiedustelu |
 |
CSFMT104-HF | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123H | tiedustelu |
 |
SE20AFD-M3/6B | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC | tiedustelu |
 |
EGF1A-E3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog