Ostaa C4D10120E BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
C4D10120E
- Osa numero:
- C4D10120E
- Valmistaja:
- Cree
- Kuvaus:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18474 Pieces
- Tietolomake:
- C4D10120E.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä C4D10120E, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma C4D10120E sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.8V @ 10A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 1200V (1.2kV) |
| Toimittaja Device Package: | TO-252-2 |
| Nopeus: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Sarja: | Z-Rec® |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 0ns |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -55°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 4 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | C4D10120E |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 10A (DC) Surface Mount TO-252-2 |
| diodi Tyyppi: | Silicon Carbide Schottky |
| Kuvaus: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2 |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 250µA @ 1200V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 10A (DC) |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | 754pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat C4D10120E
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
C4D10120A | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 | tiedustelu |
 |
6A4 | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 400V 6A R6 | tiedustelu |
 |
VS-20MQ100HM3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC | tiedustelu |
 |
C4D10120D | Cree/Wolfspeed | DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 | tiedustelu |
 |
ESH2PCHE3/84A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 2A DO220AA | tiedustelu |
 |
C4D10120E-TR | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252-2 | tiedustelu |
 |
1N2137AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 500V 60A DO5 | tiedustelu |
 |
1N4002-E3/53 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL | tiedustelu |
 |
UGB8GTHE3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB | tiedustelu |
 |
1N4148TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 | tiedustelu |
 |
FESE8FT-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog