Ostaa DMG4468LFG-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
DMG4468LFG-7
- Osa numero:
- DMG4468LFG-7
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15046 Pieces
- Tietolomake:
- DMG4468LFG-7.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä DMG4468LFG-7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMG4468LFG-7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | U-DFN3030-8 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 15 mOhm @ 11.6A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 990mW (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-PowerUDFN |
| Muut nimet: | DMG4468LFG-7DI DMG4468LFG-7DI-ND DMG4468LFG-7DITR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | DMG4468LFG-7 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 867pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 18.85nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 7.62A (Ta) 990mW (Ta) Surface Mount U-DFN3030-8 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 7.62A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DMG4468LFG-7
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DMG4468LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252 | tiedustelu |
 |
IRF3415L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 43A TO-262 | tiedustelu |
 |
DMG4468LFG | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN | tiedustelu |
 |
DMG4406LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO | tiedustelu |
|
DMG4496SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10A 8SO | tiedustelu |
|
DMG4407SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO | tiedustelu |
 |
SIHG44N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC | tiedustelu |
|
DMG4466SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10A 8SO | tiedustelu |
|
DMG4413LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L | tiedustelu |
 |
IRF6633TR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET | tiedustelu |
|
DMG4466SSSL-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10A 8SO | tiedustelu |
 |
STB25NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | tiedustelu |
|
DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers