Ostaa DMG7401SFG-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
DMG7401SFG-7
- Osa numero:
- DMG7401SFG-7
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13536 Pieces
- Tietolomake:
- DMG7401SFG-7.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä DMG7401SFG-7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMG7401SFG-7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±25V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PowerDI3333-8 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 11 mOhm @ 12A, 20V |
| Tehonkulutus (Max): | 940mW (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-PowerWDFN |
| Muut nimet: | DMG7401SFG-7DITR DMG7401SFG7 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | DMG7401SFG-7 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2987pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 58nC @ 10V |
| FET tyyppi: | P-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | P-Channel 30V 9.8A (Ta) 940mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 20V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 9.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DMG7401SFG-7
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DMG7401SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333 | tiedustelu |
 |
IPD50N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 | tiedustelu |
|
DMG7408SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI | tiedustelu |
|
DMG7401SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 | tiedustelu |
|
DMG7401SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8 | tiedustelu |
|
DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 | tiedustelu |
 |
SIHB6N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK | tiedustelu |
 |
DMG2301LK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CHA 20V 2.4A SOT23 | tiedustelu |
 |
2SJ438,Q(M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH | tiedustelu |
 |
IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog