Ostaa IPD50N04S408ATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 17µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO252-3-313 |
Sarja: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 7.9 mOhm @ 50A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 46W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Muut nimet: | IPD50N04S4-08 IPD50N04S4-08-ND IPD50N04S408ATMA1TR SP000711450 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 26 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IPD50N04S408ATMA1 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1780pF @ 6V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 22.4nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 40V 50A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 40V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |