IPD50N04S410ATMA1
IPD50N04S410ATMA1
Osa numero:
IPD50N04S410ATMA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12234 Pieces
Tietolomake:
IPD50N04S410ATMA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPD50N04S410ATMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPD50N04S410ATMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPD50N04S410ATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 15µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO252-3-313
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:9.3 mOhm @ 50A, 10V
Tehonkulutus (Max):41W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:IPD50N04S4-10
IPD50N04S4-10-ND
SP000711466
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:26 Weeks
Valmistajan osanumero:IPD50N04S410ATMA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1430pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18.2nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 40V 50A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):40V
Kuvaus:MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit