Ostaa DMN2300UFD-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
DMN2300UFD-7
- Osa numero:
- DMN2300UFD-7
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15487 Pieces
- Tietolomake:
- DMN2300UFD-7.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä DMN2300UFD-7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMN2300UFD-7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 950mV @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | X1-DFN1212-3 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 200 mOhm @ 900mA, 4.5V |
| Tehonkulutus (Max): | 470mW (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 3-UDFN |
| Muut nimet: | DMN2300UFD-7DITR DMN2300UFD7 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | DMN2300UFD-7 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 67.62pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 2nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 20V 1.21A (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 1.21A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DMN2300UFD-7
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN2300UFL4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN | tiedustelu |
 |
FDD6N20TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK | tiedustelu |
 |
IPB80N06S4L05ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | tiedustelu |
 |
DMN2300UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN | tiedustelu |
 |
DMN2300UFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN | tiedustelu |
 |
IRF7811A | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
DMN2300U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23 | tiedustelu |
 |
FCH47N60_F133 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 | tiedustelu |
 |
SQ3427AEEV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 6TSOP | tiedustelu |
|
DMN2320UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3 | tiedustelu |
 |
DMP4025LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 6A 8-SO | tiedustelu |
 |
STL8N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 8A 8POWERFLAT | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog