Ostaa DMN2300UFL4-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
DMN2300UFL4-7
- Osa numero:
- DMN2300UFL4-7
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15327 Pieces
- Tietolomake:
- DMN2300UFL4-7.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä DMN2300UFL4-7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMN2300UFL4-7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 950mV @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | X2-DFN1310-6 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 195 mOhm @ 300mA, 4.5V |
| Virta - Max: | 530mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Muut nimet: | DMN2300UFL4-7DITR DMN2300UFL47 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | DMN2300UFL4-7 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 64.3pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.6nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.11A 530mW Surface Mount X2-DFN1310-6 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2.11A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DMN2300UFL4-7
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN2300UFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN | tiedustelu |
 |
EPC2105ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | tiedustelu |
 |
DMN2300UFD-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN | tiedustelu |
 |
GWM220-004P3-SMD | IXYS | MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS | tiedustelu |
 |
DMN2320UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3 | tiedustelu |
|
DMN2300UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN | tiedustelu |
 |
FDC6327C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6 | tiedustelu |
 |
DMN2300U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23 | tiedustelu |
 |
MCMNP517-TP | Micro Commercial Co | MOSFET N/P-CH 12V 6A/4.1A | tiedustelu |
 |
SIZ902DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | tiedustelu |
 |
PMGD8000LN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP | tiedustelu |
 |
IRF7750GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog