DMN3025LFG-13
DMN3025LFG-13
Osa numero:
DMN3025LFG-13
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 7.5A POWERDI
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16032 Pieces
Tietolomake:
DMN3025LFG-13.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DMN3025LFG-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMN3025LFG-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DMN3025LFG-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PowerDI3333-8
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:18 mOhm @ 7.8A, 10V
Tehonkulutus (Max):2W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerWDFN
Muut nimet:DMN3025LFG-13DI
DMN3025LFG-13DI-ND
DMN3025LFG-13DITR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:DMN3025LFG-13
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:605pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:11.6nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 7.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 7.5A POWERDI
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:7.5A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit