DMN3051L-7
DMN3051L-7
Osa numero:
DMN3051L-7
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18765 Pieces
Tietolomake:
DMN3051L-7.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DMN3051L-7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMN3051L-7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DMN3051L-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-23-3
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:38 mOhm @ 5.8A, 10V
Tehonkulutus (Max):700mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:DMN3051L7
DMN3051LDITR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:DMN3051L-7
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:424pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 5.8A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:5.8A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit