Ostaa DMN67D8L-7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
DMN67D8L-7
- Osa numero:
- DMN67D8L-7
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19857 Pieces
- Tietolomake:
- DMN67D8L-7.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä DMN67D8L-7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMN67D8L-7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | SOT-23 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 340mW (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | DMN67D8L-7 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 22pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.82nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 210mA (Ta) 340mW (Ta) Surface Mount SOT-23 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 210mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DMN67D8L-7
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN67D8LDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 | tiedustelu |
|
DMN67D8LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 | tiedustelu |
 |
DMN67D8L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23 | tiedustelu |
 |
DMN67D8LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V SOT323 | tiedustelu |
 |
IRL8113STRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK | tiedustelu |
|
IRL530NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK | tiedustelu |
|
DMN67D8LW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V SOT323 | tiedustelu |
 |
IRFR9210TRR | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK | tiedustelu |
 |
FQI15P12TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK | tiedustelu |
 |
IRFU9024N | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog