DMN67D8LW-13
DMN67D8LW-13
Osa numero:
DMN67D8LW-13
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V SOT323
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18216 Pieces
Tietolomake:
DMN67D8LW-13.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä DMN67D8LW-13, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma DMN67D8LW-13 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa DMN67D8LW-13 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-323
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:5 Ohm @ 500mA, 10V
Tehonkulutus (Max):320mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SC-70, SOT-323
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:DMN67D8LW-13
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:22pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.82nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 240mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V SOT323
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:240mA (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit